C’est dans un communiqué de presse paru ce matin que Samsung a officialisé sa nouvelle puce mémoire DDR4. Il s’agit de la première mémoire low power double data rate 4 (LPDDR4) 8 gigabit (à ne pas confondre avec Go).
Gravée en 20nm, elle permet d’embarquer une densité importante de composants DRAM et permet ainsi la fabrication de « chip » de 1Go. Le constructeur annonce que la combinaison de quatre chips permettrait ainsi d’offrir un module de 4Go de RAM LPDDR4 dans nos terminaux.
Cette nouvelle mémoire permet une meilleure gestion des hautes résolutions et une amélioration de la vie de la batterie. Le taux de transfert est aussi largement amélioré puisque désormais, c’est à la vitesse de 3200Mbps que mémoire et processeur s’échangeront les informations. C’est deux fois plus rapide qu’avec LPDDR3, actuellement embarquée dans le Galaxy S4 et le Galaxy Note 3.
Enfin, la LPDDR4 est 50% plus performante que son aînée.
Même si rien n’a été annoncé par le constructeur, gageons que c’est cette nouvelle mémoire qui équipera le Galaxy S5.
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