Voilà plusieurs semaines que les rumeurs autour du Galaxy Note 6 inondent la toile. Et tout porte à croire que le futur smartab de Samsung soit une véritable bête de course, encore bien plus puissant que son ainé, le Galaxy S7. En effet, on parle de la présence d’une mémoire vive de 6Go, gravée en 10nm.
Et cette information tend à se confirmer, notamment suite à une conférence qui s’est tenue en Chine ce week-end. La firme sud-coréenne a en effet présenté une puce de mémoire RAM LPDDR4 d’une capacité de 6Go, et gravée en 10nm. Et la coïncidence est évidemment de mise.
L’avantage de cette gravure en 10nm est évidemment la place gagnée, ce qui permet de disposer de davantage de mémoire RAM. Mais ce n’est pas tout, puisqu’il y a également un gain en terme de consommation énergétique et donc de chauffe.
Cette nouvelle RAM de 6Go a donc tout pour plaire. Plus de puissance pour moins d’énergie consommée. Il ne reste plus qu’à confirmer qu’elle sera bien embarquée dans le Galaxy Note 6.
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