Samsung est un leader incontesté en matière de mémoires, et le constructeur nous le prouve une nouvelle fois. Après avoir débuté la production de masse des puces eMMC 5.0, voici que c’est au tour des V-NAND.
Derrière ce nom barbare se cache la première mémoire NAND 3D verticale. Mais pourquoi avoir recours à la 3D dans une mémoire ? La raison est assez simple. Même si les mémoires embarquées sur nos PCs et nos smartphones sont plutôt de qualité, elles n’en restent pas moins infaillibles. Et dans la course à la réduction des composants, la densité augmentant, le risque d’interférences des cellules devient de plus en plus élevé, et avec lui une probabilité plus forte de panne.
Basée sur la technologie 3D Charge Trap Flash, la mémoire créée par Samsung utilise une des cellules verticales, avec un processus d’interconnexion pour lier les cellules entre elles. La conception de cette mémoire aura demandé près de 10 ans de recherche.
Mais concrètement cela apporte quoi ? Le constructeur sud-coréen annonce que cette mémoire est jusqu’à 10 fois plus fiable que les mémoires conventionnels, et possède une vitesse 2 fois plus élevée dans l’écriture des données.
La capacité de cette mémoire est actuellement de 128Go, mais sa technique sous-jacente devrait évoluer assez rapidement pour nous offrir des capacités supérieures. Quand on sait qu’une puce peut contenir jusqu’à 24 couches de cellules empilées, cela offre de belles capacités en perspective.
Même si Samsung n’a pas nommé les prochains appareils à voir débarquer cette mémoire V-NAND, il y a de fortes chances pour la voir débarquer assez rapidement sur des SSD ou des terminaux mobiles.
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