C’est dans un communiqué de presse, paru il y a quelques minutes sur son site internet, que Samsung a annoncé avoir démarré la production en masse de ses modules mémoires nouvelle génération.
Toujours de technologie LPDDR3 (low-power double data rate), ils seront gravés en 20nm, permettant ainsi d’augmenter leurs performances de près de 30% par rapport à la version actuelle, tout en diminuant leur consommation.
Ces modules de 6Gb LPDDR3, qui s’assembleront par quatre pour donner un package de 3Go, autoriseront un taux de transfert par pin de 2133 Mbps. Samsung annonce également que leur taille a été réduite de 20%.
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